반도체 계측용 고속 AFM 어레이 기술 | iCSPi
iCSPi의 MEMS 기반 AFM 어레이 기술을 소개합니다.
여러 개의 1 mm² AFM 스캔 헤드를 병렬로 작동시켜 반도체 웨이퍼 측정 처리량과 커버리지를 확장할 수 있습니다.
TECHNOLOGY
iCSPi의 AFM 어레이 기술은 약 1 mm² 크기로 소형화된 AFM 스캔 헤드를 병렬로 작동시키는 방식입니다. 각각의 스캔 헤드는 독립적으로 작동하는 완전한 MEMS 기반 원자힘현미경으로 구성됩니다.
☑️높은 확장성
AFM 측정에 필요한 모든 기능을 1 mm² 크기의 스캔 헤드에 집적했습니다. 여러 개의 스캔 헤드를 어레이 형태로 구성하여 측정 지점 수와 웨이퍼 커버리지를 확장할 수 있습니다.
☑️측정 위치 정밀 제어
각 스캔 헤드는 미세 위치 조정과 표면 스캔을 위한 3축 제어 기능을 갖추고 있습니다. 이를 통해 웨이퍼의 목표 측정 지점으로 이동하여 필요한 영역을 정밀하게 분석할 수 있습니다.
☑️간소화된 측정 준비
온칩 센싱 기술을 적용하여 기존 광학식 AFM에서 요구되는 복잡한 레이저 정렬 과정을 제거했습니다. 측정 준비에 필요한 부가 작업을 줄여 더욱 효율적인 AFM 운용이 가능합니다.
3축 구동 및 온칩 센싱 기능을 갖춘 AFM 스캔 헤드
BENEFITS
반도체 제조 공정에서의 이점
iCSPi의 AFM 어레이 기술은 반도체 제조사가 다음과 같은 측정 환경을 구축할 수 있도록 지원합니다.
☑️ 수율 안정화 기간 단축과 제품 출시 기간 단축
☑️ 한 번에 전체 웨이퍼를 측정하는 AFM 계측
☑️ 다이 간 주요 측정 지점 비교
☑️ AFM을 활용한 검사 공정 적용 가능성
☑️ 측정 시간 증가 없이 웨이퍼당 측정 지점 확대

기존의 단일 AFM 스캔 헤드 방식에서는 측정 지점을 늘릴수록 전체 스캔 시간도 함께 증가합니다. 반면 AFM 어레이는 여러 개의 스캔 헤드를 동시에 작동시켜, 측정 시간 증가를 최소화하면서 웨이퍼의 측정 지점 수를 확장할 수 있습니다.
반도체 AFM 계측 도입 문의
AFM 어레이 기술은 정밀한 Z축 측정 성능과 높은 처리량이 동시에 요구되는 차세대 반도체 계측 환경을 위한 기술입니다.
iCSPi의 AFM 어레이 기술과 반도체 계측 적용 가능성에 대해 자세히 알아보고 싶으시다면 노바솔루션으로 문의해 주세요. 연구 목적과 측정 대상, 시료 특성 및 필요한 측정 범위를 확인하여 적합한 AFM 솔루션을 안내해 드립니다.
문의 시 확인 항목
- 측정 대상 및 시료 종류
- 웨이퍼 또는 측정 시료의 크기
- 필요한 XY 및 Z축 측정 범위
- 주요 측정 항목과 목표 해상도
- 측정 지점 수 및 처리량
- 연구용 또는 공정 적용 목적
- 데모 및 기술 상담 필요 여부